采用PowerPAK? SO-8L和DPAK封装的100V N沟道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面积为5mm x 6mm

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET?技术的TrenchFET?功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间，Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK? SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。

　　Vishay的ThunderFET技术可在单位晶粒面积内实现更低的导通电阻。在更低导通电阻是决定因素的应用场合，这项技术使采用DPAK封装的SQD50N10-8m9L在10V下实现了8.9mΩ的超低导通电阻;在空间是首要因素的时候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的导通电阻与之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L封装的尺寸只有DPAK封装的一半。

　　今天推出的这些MOSFET的连续漏极电流达到50A，适用于汽车发动机控制单元里的喷射增压应用和照明控制单元里用于照明镇流器的反激式转换器。器件的栅极电荷低至18nC，具有低导通电阻与栅极电荷乘积(该参数是DC/DC转换器里MOSFET的优值系数)，可减少开关损耗，并提高整体系统效率。

　　SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通过了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作温度为-55℃～+175℃。

　　器件规格表：

　　SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前发布的通过AEC-Q101认证的SQ Rugged系列。欲了解全部SQ系列器件的更多信息，请访问。

　　新款车用MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 。

　　TrenchFET?、PowerPAK?和ThunderFET?是Siliconix incorporated的注册商标。